2SC5551AF-TD-E onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

2SC5551AF-TD-E è obsoleto e non è più in produzione.

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2SC5551AF-TD-E
Codice DigiKey	2SC5551AF-TD-EOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	2SC5551AF-TD-E
Descrizione	RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistore RF NPN 30V 300mA 3,5GHz 1.3W A montaggio superficiale PCP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	2SC5551AF-TD-E Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor RF bipolari
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo di transistor	NPN
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	30V
Frequenza - Transizione	3,5GHz
Cifra di rumore (dB tip. a f)	-
Guadagno	-
Potenza - Max	1.3W
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	135 a 50mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) max	300mA
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-243AA
Contenitore del fornitore	PCP
Codice componente base	2SC5551