ATP101-TL-H onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

ATP101-TL-H è obsoleto e non è più in produzione.

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onsemi

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Prezzo unitario : Fr. 1.06000

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ATP101-TL-H
Codice DigiKey	ATP101-TL-HOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	ATP101-TL-H
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 25 A (Ta) 30W (Tc) A montaggio superficiale ATPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ATP101-TL-H Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	25 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	30mohm a 13A, 10V
Vgs(th) max a Id	-
Carica del gate (Qg) max a Vgs	18.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	875 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	30W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	ATPAK
Contenitore/involucro	ATPAK (2 conduttori+linguetta)
Codice componente base	ATP101