
ATP113-TL-H | |
|---|---|
Codice DigiKey | 869-1077-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 869-1077-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 869-1077-6-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | ATP113-TL-H |
Descrizione | MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 60 V 35 A (Ta) 50W (Tc) A montaggio superficiale ATPAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | ATP113-TL-H Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 55 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2400 pF @ 20 V |
Stato componente Data di acquisto finale | Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Contenitore del fornitore ATPAK |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 29,5mohm a 18A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FQB47P06TM-AM002 | onsemi | 684 | FQB47P06TM-AM002CT-ND | Fr. 3.88000 | Consigliato dal produttore |
| NP50P06SDG-E1-AY | Renesas Electronics Corporation | 163’005 | 559-NP50P06SDG-E1-AYCT-ND | Fr. 2.54000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.89000 | Fr. 1.89 |
| 10 | Fr. 1.21400 | Fr. 12.14 |
| 100 | Fr. 0.82830 | Fr. 82.83 |
| 500 | Fr. 0.66354 | Fr. 331.77 |
| 1’000 | Fr. 0.65621 | Fr. 656.21 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.65621 | Fr. 1’968.63 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.89000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.04309 |



