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Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 350 V 100 mA 70MHz 800 mW A montaggio superficiale SOT-223 (TO-261)
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BSP19AT1G

Codice DigiKey
BSP19AT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
BSP19AT1G
Descrizione
TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 350 V 100 mA 70MHz 800 mW A montaggio superficiale SOT-223 (TO-261)
Scheda tecnica
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) max
100 mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
350 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
500mV a 4mA, 50mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
20 nA (ICBO)
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
40 a 20mA, 10V
Potenza - Max
800 mW
Frequenza - Transizione
70MHz
Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-261-4, TO-261AA
Contenitore del fornitore
SOT-223 (TO-261)
Codice componente base
BSP19
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