BSR58LT1G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

BSR58LT1G è obsoleto e non è più in produzione.

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BSR58LT1G
Codice DigiKey	BSR58LT1G-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	BSR58LT1G
Descrizione	JFET N-CH 40V SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	JFET Canale N 40 V 350 mW A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSR58LT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor JFET
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	40 V
Corrente - Drain (Idss) a Vds (Vgs=0)	8 mA @ 15 V
Tensione - Soglia (VGS off) a Id	800 mV @ 1 µA
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	-
Resistenza - RDSon	60 Ohms
Potenza - Max	350 mW
Temperatura di funzionamento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Contenitore del fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Codice componente base	BSR58