NTD23N03RT4 onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

NTD23N03RT4 è obsoleto e non è più in produzione.

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STMicroelectronics

In magazzino: 4’003

Prezzo unitario : Fr. 0.59000

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NTD23N03RT4
Codice DigiKey	NTD23N03RT4OSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTD23N03RT4
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 3,8 A (Ta), 17,1 A (Tc) 1,14W (Ta), 22,3W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTD23N03RT4 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	25 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,8 A (Ta), 17,1 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4V, 5V
RDSon (max) a Id, Vgs	45mohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	3.76 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	225 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,14W (Ta), 22,3W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	DPAK
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	NTD23