Name: ECH8310-TL-H
Brand: onsemi
SKU: ECH8310-TL-HOSTR-ND
Price: 1.24315 CHF
Availability: InStock

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ECH8310-TL-H
Codice DigiKey	ECH8310-TL-HOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) ECH8310-TL-HOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) ECH8310-TL-HOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	ECH8310-TL-H
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 9A 8ECH
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 9 A (Ta) 1,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-ECH
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ECH8310-TL-H Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 28 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1400 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,5W (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-ECH
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SMD, conduttori piatti
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V	Codice componente base ECH8310
RDSon (max) a Id, Vgs 17mohm a 4,5A, 10V

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In magazzino: 4’101

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.27640	Fr. 829.20
6’000	Fr. 0.25634	Fr. 1’538.04

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.15000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.24315

ECH8310-TL-H