EFC4619R-TR onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

EFC4619R-TR è obsoleto e non è più in produzione.

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Prezzo unitario : Fr. 0.14422

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EFC4619R-TR
Codice DigiKey	EFC4619R-TROSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	EFC4619R-TR
Descrizione	MOSFET 2N-CH EFCP1616
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 1,6W A montaggio superficiale EFCP1616-4CE-022
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Gate livello logico, comando 2,5V
Tensione drain/source (Vdss)	-
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	-
RDSon (max) a Id, Vgs	-
Vgs(th) max a Id	-
Carica del gate (Qg) max a Vgs	21,7nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	-
Potenza - Max	1,6W
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	4-XFBGA, FCBGA
Contenitore del fornitore	EFCP1616-4CE-022
Codice componente base	EFC4619