
EMA6DXV5T1G | |
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Codice DigiKey | EMA6DXV5T1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | EMA6DXV5T1G |
Descrizione | TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-553 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 2 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 230mW A montaggio superficiale SOT-553 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | EMA6DXV5T1G Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | onsemi | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo di transistor | 2 PNP - pre-polarizzati (doppi) | |
Corrente - Collettore (Ic) max | 100mA | |
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) | 50V | |
Resistore - Base (R1) | 47kohm | |
Resistore - Base emettitore (R2) | - | |
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce | 160 a 5mA, 10V | |
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic | 250mV a 1mA, 10mA | |
Corrente - Interruzione collettore (max) | 500nA | |
Frequenza - Transizione | - | |
Potenza - Max | 230mW | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | SOT-553 | |
Contenitore del fornitore | SOT-553 | |
Codice componente base |


