Name: EMD4DXV6T1G
Brand: onsemi
SKU: EMD4DXV6T1GOSTR-ND
Price: 0.3243 CHF
Availability: InStock

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EMD4DXV6T1G
Codice DigiKey	EMD4DXV6T1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) EMD4DXV6T1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) EMD4DXV6T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	EMD4DXV6T1G
Descrizione	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Tempi di consegna standard del produttore	44 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 500mW A montaggio superficiale SOT-563
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	EMD4DXV6T1G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari, pre-polarizzati	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 80 a 5mA, 10V
Produttore onsemi	Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 250mV a 300µA, 10mA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Corrente - Interruzione collettore (max) 500nA
Stato componente Attivo	Potenza - Max 500mW
Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 100mA	Contenitore/involucro SOT-563, SOT-666
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 50V	Contenitore del fornitore SOT-563
Resistore - Base (R1) 47kohm, 10kohm	Codice componente base EMD4DXV6
Resistore - Base emettitore (R2) 47kohm

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
4’000	Fr. 0.05752	Fr. 230.08
8’000	Fr. 0.05210	Fr. 416.80

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.30000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.32430

EMD4DXV6T1G