EMT1DXV6T5G onsemi | Array di transistor bipolari

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EMT1DXV6T5G
Codice DigiKey	EMT1DXV6T5GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) EMT1DXV6T5GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	onsemi
Codice produttore	EMT1DXV6T5G
Descrizione	TRANS 2PNP 60V 100MA SOT-563
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array 2 PNP (doppio) 60V 100mA 140MHz 500mW A montaggio superficiale SOT-563
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	EMT1DXV6T5G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 120 a 1mA, 6V
Produttore onsemi	Potenza - Max 500mW
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Frequenza - Transizione 140MHz
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di transistor 2 PNP (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 100mA	Contenitore/involucro SOT-563, SOT-666
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 60V	Contenitore del fornitore SOT-563
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 500mV a 5mA, 50mA	Codice componente base EMT1DXV6
Corrente - Interruzione collettore (max) 500 nA (ICBO)

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
EMT1DXV6T1G	onsemi	43	EMT1DXV6T1GOSCT-ND	Fr. 0.38000	Consigliato dal produttore
BCM857BV,115	Nexperia USA Inc.	5’411	1727-5459-1-ND	Fr. 0.46000	Simile
MMDT2907V-7	Diodes Incorporated	5’297	MMDT2907VDICT-ND	Fr. 0.30000	Simile

In magazzino: 83

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 0.33000	Fr. 0.33
10	Fr. 0.20200	Fr. 2.02

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.33000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.35673

EMT1DXV6T5G