Transistor - Bipolari (BJT) - Array 2 NPN (doppio) 50V 100mA 180MHz 500mW A montaggio superficiale SOT-563
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EMX1DXV6T5G

Codice DigiKey
EMX1DXV6T5GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
EMX1DXV6T5GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Codice produttore
EMX1DXV6T5G
Descrizione
TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Array 2 NPN (doppio) 50V 100mA 180MHz 500mW A montaggio superficiale SOT-563
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
120 a 1mA, 6V
Produttore
onsemi
Potenza - Max
500mW
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Frequenza - Transizione
180MHz
Stato componente
Obsoleto
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di transistor
2 NPN (doppio)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max
100mA
Contenitore/involucro
SOT-563, SOT-666
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
50V
Contenitore del fornitore
SOT-563
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
400mV a 5mA, 50mA
Codice componente base
Corrente - Interruzione collettore (max)
500 nA (ICBO)
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (5)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
EMX1DXV6T1Gonsemi3’129EMX1DXV6T1GOSCT-NDFr. 0.33000Consigliato dal produttore
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Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
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