Name: FCB110N65F
Brand: onsemi
SKU: FCB110N65FTR-ND
Price: 7.00488 CHF
Availability: InStock

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FCB110N65F
Codice DigiKey	FCB110N65FTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FCB110N65FCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FCB110N65FDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FCB110N65F
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 35 A (Tc) 357W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FCB110N65F Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 3,5mA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 145 nC @ 10 V
Serie FRFET®, SuperFET® II	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4895 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 357W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 35 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FCB110
RDSon (max) a Id, Vgs 110mohm a 17,5A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	Fr. 2.57275	Fr. 2’058.20

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 6.48000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 7.00488

FCB110N65F