


FCB110N65F | |
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Codice DigiKey | FCB110N65FTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FCB110N65FCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FCB110N65FDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FCB110N65F |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 13 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 35 A (Tc) 357W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FCB110N65F Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 110mohm a 17,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 5V a 3,5mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 145 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4895 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 357W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263 (D2PAK) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.62000 | Fr. 3.62 |
| 10 | Fr. 3.08000 | Fr. 30.80 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | Fr. 2.51630 | Fr. 2’013.04 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.62000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.91322 |

