Name: FCB260N65S3
Brand: onsemi
SKU: 488-FCB260N65S3TR-ND
Price: 4.03213 CHF
Availability: InStock

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FCB260N65S3
Codice DigiKey	488-FCB260N65S3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-FCB260N65S3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-FCB260N65S3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FCB260N65S3
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 12 A (Tc) 90W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FCB260N65S3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 1,2mA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 24 nC @ 10 V
Serie SuperFET® III	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1010 pF @ 400 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 90W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FCB260
RDSon (max) a Id, Vgs 260mohm a 6A, 10V

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In magazzino: 1’060

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	Fr. 1.27785	Fr. 1’022.28
1’600	Fr. 1.22839	Fr. 1’965.42

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.73000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.03213

FCB260N65S3