FCD5N60-F085 onsemi | FET, MOSFET singoli

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STMicroelectronics

In magazzino: 3’676

Prezzo unitario : Fr. 2.55000

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FCD5N60-F085
Codice DigiKey	FCD5N60-F085TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FCD5N60-F085
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 4,6 A (Tc) 54W (Tj) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 21 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±30V
Serie SuperFET™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 570 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Dissipazione di potenza (max) 54W (Tj)
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,6 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-252AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 1,1ohm a 4,6A, 10V	Codice componente base FCD5
Vgs(th) max a Id 5V a 250µA

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
STD8N80K5	STMicroelectronics	3’676	497-13643-1-ND	Fr. 2.55000	Simile

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