Name: FCD850N80Z
Brand: onsemi
SKU: 488-FCD850N80ZTR-ND
Price: 3.00518 CHF
Availability: InStock

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FCD850N80Z
Codice DigiKey	488-FCD850N80ZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-FCD850N80ZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-FCD850N80ZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FCD850N80Z
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 6 A (Tc) 75W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 600µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 29 nC @ 10 V
Serie SuperFET® II	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1315 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FCD850
RDSon (max) a Id, Vgs 850mohm a 3A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 0.82623	Fr. 2’065.58

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.78000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.00518

FCD850N80Z