TO-252AA
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TO-252AA
TO-252AA

FCD850N80Z

Codice DigiKey
FCD850N80ZTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
FCD850N80ZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
488-FCD850N80ZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
onsemi
Codice produttore
FCD850N80Z
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore
17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 6 A (Tc) 75W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
cms-datasheet
 cms-datasheet
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
onsemi
Serie
SuperFET® II
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
6 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
850mohm a 3A, 10V
Vgs(th) max a Id
4,5V a 600µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1315 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
75W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
FCD850
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità cms-unit-pricePrezzo tot
1Fr. 0.99000Fr. 0.99
Nastrato in bobina (TR)
Quantità cms-unit-pricePrezzo tot
2’500Fr. 0.80810Fr. 2’020.25
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.99000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.07019