Name: FCMT080N65S3
Brand: onsemi
SKU: 488-FCMT080N65S3TR-ND
Price: 5.96712 CHF
Availability: InStock

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FCMT080N65S3
Codice DigiKey	488-FCMT080N65S3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-FCMT080N65S3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-FCMT080N65S3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FCMT080N65S3
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 38 A (Tc) 260W (Tc) A montaggio superficiale 4-TDFN (8x8)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 880µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 71 nC @ 10 V
Serie SuperFET® III	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2765 pF @ 400 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 260W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore 4-TDFN (8x8)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 38 A (Tc)	Contenitore/involucro 4-PowerTSFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FCMT080
RDSon (max) a Id, Vgs 80mohm a 19A, 10V