FCP099N60E onsemi | FET, MOSFET singoli

Canale N 600 V 37 A (Tc) 357W (Tc) Foro passante TO-220-3

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FCP099N60E
Codice DigiKey	FCP099N60E-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	FCP099N60E
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 37 A (Tc) 357W (Tc) Foro passante TO-220-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FCP099N60E Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 114 nC @ 10 V
Serie SuperFET® II	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3465 pF @ 380 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 357W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 37 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-220-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FCP099
RDSon (max) a Id, Vgs 99mohm a 18,5A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FCP099N65S3	onsemi	453	FCP099N65S3-ND	Fr. 5.10000	Consigliato dal produttore
IPP60R099C7XKSA1	Infineon Technologies	0	448-IPP60R099C7XKSA1-ND	Fr. 4.81000	Simile
IPP60R099P6XKSA1	Infineon Technologies	0	IPP60R099P6XKSA1-ND	Fr. 4.80000	Simile
IPP60R099P7XKSA1	Infineon Technologies	1’685	448-IPP60R099P7XKSA1-ND	Fr. 3.72000	Simile
IPP60R120C7XKSA1	Infineon Technologies	553	448-IPP60R120C7XKSA1-ND	Fr. 4.00000	Simile

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 5.17000	Fr. 5.17
50	Fr. 2.76820	Fr. 138.41
100	Fr. 2.53600	Fr. 253.60

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 5.17000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 5.58877

FCP099N60E

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