FCP4N60 onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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FCP4N60
Codice DigiKey	FCP4N60-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	FCP4N60
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 3.9A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 3,9 A (Tc) 50W (Tc) Foro passante TO-220-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	SuperFET™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,9 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,2ohm a 2A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	16.6 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	540 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	50W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220-3
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	FCP4

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