FCP650N80Z onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FCP650N80Z è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Consigliato dal produttore

onsemi

In magazzino: 830

Prezzo unitario : Fr. 2.90000

Simile

IXYS

In magazzino: 0

Prezzo unitario : Fr. 1.62193

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FCP650N80Z
Codice DigiKey	FCP650N80Z-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	FCP650N80Z
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 10 A (Tc) 162W (Tc) Foro passante TO-220
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FCP650N80Z Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	SuperFET® II
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	650mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 800µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1565 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	162W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	FCP650