FCPF11N60NT è obsoleto e non è più in produzione.
Sostituti disponibili:

Consigliato dal produttore


onsemi
In magazzino: 496
Prezzo unitario : Fr. 3.36000
Scheda tecnica

Diretto


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
In magazzino: 199
Prezzo unitario : Fr. 2.60000
Scheda tecnica

Diretto


Infineon Technologies
In magazzino: 373
Prezzo unitario : Fr. 1.64000
Scheda tecnica

Diretto


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 79
Prezzo unitario : Fr. 1.61000
Scheda tecnica

Simile


Central Semiconductor Corp
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.85789
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 105
Prezzo unitario : Fr. 1.52000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 1.40000
Scheda tecnica

Simile


IXYS
In magazzino: 277
Prezzo unitario : Fr. 4.11000
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 500
Prezzo unitario : Fr. 3.22000
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 337
Prezzo unitario : Fr. 2.10000
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 441
Prezzo unitario : Fr. 2.22000
Scheda tecnica

Simile


Vishay Siliconix
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 1.30000
Scheda tecnica

Simile


Vishay Siliconix
In magazzino: 725
Prezzo unitario : Fr. 2.88000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 662
Prezzo unitario : Fr. 2.45000
Scheda tecnica
TO-220F-3
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FCPF11N60NT

Codice DigiKey
FCPF11N60NT-ND
Produttore
Codice produttore
FCPF11N60NT
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 10,8 A (Tc) 32,1W (Tc) Foro passante TO-220F-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
FCPF11N60NT Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
299mohm a 5,4A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
35.6 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1505 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
32,1W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-220F-3
Contenitore/involucro
Codice componente base
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Obsoleto
Questo prodotto non più in produzione. Visualizza Articoli sostitutivi.