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FCPF9N60NT | |
|---|---|
Codice DigiKey | FCPF9N60NT-ND |
Produttore | |
Codice produttore | FCPF9N60NT |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 9A TO220F |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 9 A (Tc) 29,8W (Tc) Foro passante TO-220F-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FCPF9N60NT Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 29 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1240 pF @ 100 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 29,8W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore TO-220F-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 385mohm a 4,5A, 10V |
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Sostituti (15)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| NTPF360N65S3H | onsemi | 910 | 488-NTPF360N65S3H-ND | Fr. 3.38000 | Consigliato dal produttore |
| TK10A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | 112 | TK10A60WS4VX-ND | Fr. 3.14000 | Diretto |
| IPA60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | 400 | IPA60R360P7XKSA1-ND | Fr. 1.74000 | Simile |
| IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | 373 | IPA60R380P6XKSA1-ND | Fr. 1.77000 | Simile |
| R6011ENX | Rohm Semiconductor | 373 | R6011ENX-ND | Fr. 3.36000 | Simile |
Obsoleto
