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FDB045AN08A0-F085 | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDB045AN08A0-F085TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB045AN08A0-F085CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB045AN08A0-F085DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FDB045AN08A0-F085 |
Descrizione | MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 75 V 19 A (Ta) 310W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 138 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6600 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 310W (Tc) |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 75 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 4,5mohm a 80A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS6H818NT1G | onsemi | 2’110 | NVMFS6H818NT1GOSCT-ND | Fr. 2.97000 | Consigliato dal produttore |
| IPB054N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | 985 | IPB054N08N3GATMA1CT-ND | Fr. 2.12000 | Simile |
| IRF1405STRLPBF | Infineon Technologies | 1’681 | IRF1405STRLPBFCT-ND | Fr. 2.81000 | Simile |
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | 7’718 | IRFS3306TRLPBFCT-ND | Fr. 2.92000 | Simile |
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | 0 | IRFS3607TRLPBFCT-ND | Fr. 1.74000 | Simile |








