


FDB047N10 | |
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Codice DigiKey | FDB047N10TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB047N10CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB047N10DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FDB047N10 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 120 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FDB047N10 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 4,7mohm a 75A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 210 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 15265 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263 (D2PAK) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 2.18000 | Fr. 2.18 |
10 | Fr. 1.85200 | Fr. 18.52 |
100 | Fr. 1.72560 | Fr. 172.56 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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800 | Fr. 1.43616 | Fr. 1’148.93 |
1’600 | Fr. 1.40980 | Fr. 2’255.68 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.18000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.35658 |