Name: FDB050AN06A0
Brand: onsemi
SKU: FDB050AN06A0TR-ND
Price: 3.00518 CHF
Availability: InStock

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FDB050AN06A0
Codice DigiKey	FDB050AN06A0TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB050AN06A0CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB050AN06A0DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB050AN06A0
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 18 A (Ta), 80 A (Tc) 245W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDB050AN06A0 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 80 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3900 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 245W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 18 A (Ta), 80 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDB050
RDSon (max) a Id, Vgs 5mohm a 80A, 10V

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In magazzino: 1’431

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	Fr. 0.90751	Fr. 726.01
1’600	Fr. 0.84458	Fr. 1’351.33

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.78000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.00518

FDB050AN06A0