Name: FDB075N15A
Brand: onsemi
SKU: FDB075N15ATR-ND
Price: 5.89145 CHF
Availability: InStock

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FDB075N15A
Codice DigiKey	FDB075N15ATR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB075N15ACT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB075N15ADKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB075N15A
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 130 A (Tc) 333W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 100 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7350 pF @ 75 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 333W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 130 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FDB075
RDSon (max) a Id, Vgs 7,5mohm a 100A, 10V

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPB072N15N3GATMA1	Infineon Technologies	5’373	IPB072N15N3GATMA1CT-ND	Fr. 3.28000	Simile

In magazzino: 650

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	Fr. 2.04195	Fr. 1’633.56

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 5.45000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 5.89145

FDB075N15A