Name: FDB15N50
Brand: onsemi
SKU: FDB15N50TR-ND
Price: 4.39967 CHF
Availability: InStock

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FDB15N50
Codice DigiKey	FDB15N50TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB15N50CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB15N50DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB15N50
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 500 V 15 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDB15N50 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 41 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±30V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1850 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 500 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 15 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 380mohm a 7,5A, 10V	Codice componente base FDB15

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
STB12NM50T4	STMicroelectronics	932	497-STB12NM50T4CT-ND	Fr. 4.58000	Simile

In magazzino: 1’245

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Quantità

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	Fr. 1.41725	Fr. 1’133.80
1’600	Fr. 1.38438	Fr. 2’215.01

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.07000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.39967

FDB15N50