Name: FDB2532
Brand: onsemi
SKU: FDB2532TR-ND
Price: 4.76721 CHF
Availability: InStock

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FDB2532
Codice DigiKey	FDB2532TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB2532CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB2532DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB2532
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	41 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 8 A (Ta), 79 A (Tc) 310W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 107 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5870 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 310W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8 A (Ta), 79 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDB253
RDSon (max) a Id, Vgs 16mohm a 33A, 10V

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IRFS4115TRLPBF	Infineon Technologies	1’291	IRFS4115TRLPBFCT-ND	Fr. 3.54000	Simile

In magazzino: 540

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	Fr. 1.55386	Fr. 1’243.09
1’600	Fr. 1.53901	Fr. 2’462.42

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.41000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.76721

FDB2532