FDB3672-F085 onsemi | FET, MOSFET singoli

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FDB3672-F085
Codice DigiKey	FDB3672-F085TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB3672-F085CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB3672-F085
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 7,2 A (Ta), 44 A (Tc) 120W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDB3672-F085 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 31 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Serie PowerTrench®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1710 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc)
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7,2 A (Ta), 44 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 28mohm a 44A, 10V	Codice componente base FDB3672
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (6)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
NVMFS021N10MCLT1G	onsemi	1’037	488-NVMFS021N10MCLT1GCT-ND	Fr. 1.07000	Consigliato dal produttore
BUK9629-100B,118	Nexperia USA Inc.	85	1727-4716-1-ND	Fr. 1.89000	Simile
PHB47NQ10T,118	Nexperia USA Inc.	7’200	1727-4767-1-ND	Fr. 2.13000	Simile
PSMN034-100BS,118	Nexperia USA Inc.	1’233	1727-7211-1-ND	Fr. 1.70000	Simile
RSJ400N10TL	Rohm Semiconductor	0	RSJ400N10TLCT-ND	Fr. 3.99000	Simile

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Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.72412

FDB3672-F085