FDB8441 onsemi | FET, MOSFET singoli

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FDB8441
Codice DigiKey	FDB8441TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB8441CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB8441
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 28 A (Ta), 120 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 280 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 15000 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 28 A (Ta), 120 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FDB844
RDSon (max) a Id, Vgs 2,5mohm a 80A, 10V

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
STB170NF04	STMicroelectronics	382	497-12535-1-ND	Fr. 3.65000	Diretto
IXTA300N04T2	IXYS	0	IXTA300N04T2-ND	Fr. 2.66147	Simile
STB270N4F3	STMicroelectronics	2’296	497-7944-1-ND	Fr. 3.86000	Simile

In magazzino: 783

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Non annullabile/Non restituibile

Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	Fr. 1.22678	Fr. 981.42
1’600	Fr. 1.21378	Fr. 1’942.05

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.35000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.62135

FDB8441