


FDB86102LZ | |
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Codice DigiKey | FDB86102LZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB86102LZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB86102LZDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FDB86102LZ |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 8,3 A (Ta), 30 A (Tc) 3,1W (Ta) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 24mohm a 8,3 A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 21 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1275 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,1W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263 (D2PAK) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.11000 | Fr. 1.11 |
10 | Fr. 0.97900 | Fr. 9.79 |
100 | Fr. 0.86500 | Fr. 86.50 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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800 | Fr. 0.64219 | Fr. 513.75 |
1’600 | Fr. 0.64056 | Fr. 1’024.90 |
2’400 | Fr. 0.62080 | Fr. 1’489.92 |
4’000 | Fr. 0.60310 | Fr. 2’412.40 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.11000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.19991 |