Name: FDB86135
Brand: onsemi
SKU: FDB86135TR-ND
Price: 6.76706 CHF
Availability: InStock

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FDB86135
Codice DigiKey	FDB86135TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB86135CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDB86135DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB86135
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 75 A (Tc) 2,4W (Ta), 227W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 116 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7295 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,4W (Ta), 227W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 75 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FDB861
RDSon (max) a Id, Vgs 3,5mohm a 75A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	Fr. 2.45385	Fr. 1’963.08

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 6.26000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 6.76706

FDB86135