FDB86366-F085 onsemi | FET, MOSFET singoli

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FDB86366-F085
Codice DigiKey	FDB86366-F085TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB86366-F085CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB86366-F085
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 110 A (Tc) 176W (Tj) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDB86366-F085 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 112 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Serie PowerTrench®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6280 pF @ 40 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Dissipazione di potenza (max) 176W (Tj)
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 110 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 3,6mohm a 80A, 10V	Codice componente base FDB86366
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
NVMFS6H801NLT1G	onsemi	1’491	488-NVMFS6H801NLT1GCT-ND	Fr. 2.79000	Consigliato dal produttore

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Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.13490

FDB86366-F085