TO-263
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TO-263
TO-263

FDB86566-F085

Codice DigiKey
FDB86566-F085TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
FDB86566-F085CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
onsemi
Codice produttore
FDB86566-F085
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 110 A (Tc) 176W (Tj) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
FDB86566-F085 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
onsemi
Serie
PowerTrench®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
110 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,7mohm a 80A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
6655 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
176W (Tj)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
FDB86566
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Nastro pre-tagliato (CT)
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