FDB8870 onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FDB8870 è obsoleto e non è più in produzione.

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FDB8870
Codice DigiKey	FDB8870FSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB8870
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 23 A (Ta), 160 A (Tc) 160W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	23 A (Ta), 160 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	3,9mohm a 35A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	132 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5200 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	160W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	FDB887