FDC3512_F095 onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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onsemi

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Simile

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Prezzo unitario : Fr. 0.54000

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FDC3512_F095
Codice DigiKey	FDC3512_F095-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDC3512_F095
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 3A SUPERSOT6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 3 A (Ta) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale SuperSOT™-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	77mohm a 3A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	634 pF @ 40 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,6W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SuperSOT™-6
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base	FDC3512