Name: FDC608PZ
Brand: onsemi
SKU: FDC608PZTR-ND
Price: 0.3243 CHF
Availability: InStock

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FDC608PZ
Codice DigiKey	FDC608PZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDC608PZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDC608PZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDC608PZ
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 5,8 A (Ta) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale SuperSOT™-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDC608PZ Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	30mohm a 5,8A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	23 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1330 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,6W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SuperSOT™-6
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base	FDC608

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Nastrato in bobina (TR)