FDC6322C onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FDC6322C è obsoleto e non è più in produzione.

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Prezzo unitario : Fr. 3.39000

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FDC6322C
Codice DigiKey	FDC6322C-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDC6322C
Descrizione	MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 25V 220mA, 460mA 700mW A montaggio superficiale SuperSOT™-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDC6322C Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	25V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	220mA, 460mA
RDSon (max) a Id, Vgs	4ohm a 400mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0,7nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	9,5pF a 10V
Potenza - Max	700mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Contenitore del fornitore	SuperSOT™-6
Codice componente base	FDC6322