Name: FDC6561AN
Brand: onsemi
SKU: FDC6561ANTR-ND
Price: 0.82156 CHF
Availability: InStock

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FDC6561AN
Codice DigiKey	FDC6561ANTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDC6561ANCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDC6561ANDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDC6561AN
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 2,5A 700mW A montaggio superficiale SuperSOT™-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDC6561AN Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,5A
RDSon (max) a Id, Vgs	95mohm a 2,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	3,2nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	220pF a 15V
Potenza - Max	700mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Contenitore del fornitore	SuperSOT™-6
Codice componente base	FDC6561

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In magazzino: 13’650

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)