Name: FDC658AP
Brand: onsemi
SKU: FDC658APTR-ND
Price: 0.7567 CHF
Availability: InStock

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FDC658AP
Codice DigiKey	FDC658APTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDC658APCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDC658APDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDC658AP
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 4 A (Ta) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale SuperSOT™-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDC658AP Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	50mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	8.1 nC @ 5 V
Vgs (max)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	470 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,6W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SuperSOT™-6
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base	FDC658

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Nastrato in bobina (TR)