FDC855N onsemi | FET, MOSFET singoli

FDC855N è obsoleto e non è più in produzione.

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FDC855N
Codice DigiKey	FDC855NTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDC855NCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDC855NDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDC855N
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 6,1 A (Ta) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale SuperSOT™-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDC855N Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 655 pF @ 15 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 1,6W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore SuperSOT™-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,1 A (Ta)	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDC855
RDSon (max) a Id, Vgs 27mohm a 6,1A, 10V

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
RSQ020N03TR	Rohm Semiconductor	1’343	RSQ020N03CT-ND	Fr. 0.81000	Simile
RTQ020N03TR	Rohm Semiconductor	4’551	RTQ020N03CT-ND	Fr. 0.70000	Simile
RTQ045N03TR	Rohm Semiconductor	5’233	RTQ045N03CT-ND	Fr. 0.87000	Simile
TSM240N03CX6 RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	5’462	TSM240N03CX6RFGCT-ND	Fr. 0.58000	Simile

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