SG6858TZ
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SG6858TZ

FDC855N

Codice DigiKey
FDC855NTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
FDC855NCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
FDC855NDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
onsemi
Codice produttore
FDC855N
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 6,1 A (Ta) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale SuperSOT™-6
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
FDC855N Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
onsemi
Serie
PowerTrench®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
6,1 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
27mohm a 6,1A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
655 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,6W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
SuperSOT™-6
Contenitore/involucro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base
FDC855
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In magazzino: 2’478
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Data ultima possibilità d'acquisto: 01.01.2026
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 0.63000Fr. 0.63
10Fr. 0.45100Fr. 4.51
100Fr. 0.33050Fr. 33.05
500Fr. 0.25572Fr. 127.86
1’000Fr. 0.23128Fr. 231.28
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.63000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.68103