Name: FDD10AN06A0
Brand: onsemi
SKU: FDD10AN06A0TR-ND
Price: 2.47549 CHF
Availability: InStock

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FDD10AN06A0
Codice DigiKey	FDD10AN06A0TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDD10AN06A0CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDD10AN06A0DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDD10AN06A0
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 11 A (Ta), 50 A (Tc) 135W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDD10AN06A0 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 37 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1840 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 135W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11 A (Ta), 50 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDD10AN06
RDSon (max) a Id, Vgs 10,5mohm a 50A, 10V