Name: FDD1600N10ALZ
Brand: onsemi
SKU: FDD1600N10ALZTR-ND
Price: 1.39449 CHF
Availability: InStock

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FDD1600N10ALZ
Codice DigiKey	FDD1600N10ALZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDD1600N10ALZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDD1600N10ALZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDD1600N10ALZ
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 6,8 A (Tc) 14,9W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDD1600N10ALZ Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,8V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3.61 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 225 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 14,9W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,8 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V	Codice componente base FDD1600
RDSon (max) a Id, Vgs 160mohm a 3,4A, 10V