Name: FDD18N20LZ
Brand: onsemi
SKU: FDD18N20LZTR-ND
Price: 2.42144 CHF
Availability: InStock

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FDD18N20LZ
Codice DigiKey	FDD18N20LZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDD18N20LZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDD18N20LZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDD18N20LZ
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 16 A (Tc) 89W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V
Serie UniFET™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1575 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 89W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 16 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V	Codice componente base FDD18N20
RDSon (max) a Id, Vgs 125mohm a 8A, 10V