Name: FDD3N40TM
Brand: onsemi
SKU: FDD3N40TMTR-ND
Price: 1.04857 CHF
Availability: InStock

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FDD3N40TM
Codice DigiKey	FDD3N40TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDD3N40TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDD3N40TMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDD3N40TM
Descrizione	MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 400 V 2 A (Tc) 30W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDD3N40TM Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6 nC @ 10 V
Serie UniFET™	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 225 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 400 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FDD3N40
RDSon (max) a Id, Vgs 3,4ohm a 1A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 0.23262	Fr. 581.55
5’000	Fr. 0.21460	Fr. 1’073.00

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.97000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.04857

FDD3N40TM