FDD5810 onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FDD5810 è obsoleto e non è più in produzione.

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FDD5810
Codice DigiKey	FDD5810TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDD5810
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 7,4 A (Ta), 37 A (Tc) 72W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	7,4 A (Ta), 37 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	22mohm a 32A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1890 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	72W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	FDD581