FDD5N50FTM-WS onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FDD5N50FTM-WS è obsoleto e non è più in produzione.

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onsemi

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Prezzo unitario : Fr. 0.92000

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FDD5N50FTM-WS
Codice DigiKey	488-FDD5N50FTM-WSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDD5N50FTM-WS
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 500 V 3,5 A (Tc) 40W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	FRFET ®, UniFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,55ohm a 1,75A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	650 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	40W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	FDD5