FDD6676AS onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FDD6676AS è obsoleto e non è più in produzione.

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Prezzo unitario : Fr. 0.69000

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FDD6676AS
Codice DigiKey	FDD6676AS-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDD6676AS
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 90 A (Ta) 70W (Ta) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDD6676AS Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	90 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,7mohm a 16A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2500 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	70W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	FDD667