FDD8453LZ onsemi | FET, MOSFET singoli

FDD8453LZ è obsoleto e non è più in produzione.

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Infineon Technologies

In magazzino: 5’799

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Infineon Technologies

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Prezzo unitario : Fr. 1.18000

Simile

STMicroelectronics

In magazzino: 4’434

Prezzo unitario : Fr. 1.89000

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FDD8453LZ
Codice DigiKey	FDD8453LZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDD8453LZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDD8453LZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDD8453LZ
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 16.4A/50A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 16,4 A (Ta), 50 A (Tc) 3,1W (Ta), 65W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 64 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3515 pF @ 20 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 3,1W (Ta), 65W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 16,4 A (Ta), 50 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDD8453
RDSon (max) a Id, Vgs 6,7mohm a 15A, 10V

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPD50N04S408ATMA1	Infineon Technologies	5’799	IPD50N04S408ATMA1CT-ND	Fr. 1.18000	Diretto
IPD50N04S4L08ATMA1	Infineon Technologies	12’756	IPD50N04S4L08ATMA1CT-ND	Fr. 1.18000	Diretto
STD80N4F6	STMicroelectronics	4’434	497-13576-1-ND	Fr. 1.89000	Simile

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